Silikon Karbür (SiC) ve Galyum Nitrür (GaN) Tabanlı Yarı İletkenler

Kardelen Pınar (Yazar) 04 Ağustos 2025

Silikon Karbür (SiC) ve Galyum Nitrür (GaN) Tabanlı Yarı İletkenler Nedir ?

SiC ve GaN yarı iletkenler, yüksek sıcaklık ve voltajlara dayanıklı, yüksek frekanslı devre bileşenleri üreten malzemelerdir.

Özellikle güç elektroniği, telekomünikasyon ve ileri seviye savunma sanayii uygulamalarında giderek daha fazla tercih edilmektedir.

Neden?

Silikon bazlı çipler yüksek sıcaklıkta verim kaybına uğrar. SiC ve GaN tabanlı çipler, daha yüksek enerji verimliliği sağlar ve daha az ısınır. 

Bu sayede hem sistem güvenilirliği artar hem de soğutma ihtiyacı azalır. Ayrıca, bu malzemelerle çalışan cihazlar daha kompakt ve hafif tasarlanabilir.

Nasıl?

Plazma Bazlı Büyütme Teknikleri: Daha saf malzemeler üretmek için kullanılır.

Epitaksiyel Katman Biriktirme: Çip performansını artırır.

Otomotiv ve Havacılıkta Kullanım: Elektrikli araçlarda ve radar sistemlerinde daha dayanıklı bileşenler sağlar.